位错线的识别对于评价晶体的性能具有重要意义

在材料科学中，位错线是晶体或晶格滑动面上滑动区域的边界，位错线的识别对晶体性质的识别有重要影响。本文将三维可视化技术应用于分子动力学领域，改进了原来只通过计算结果分析数据，通过二维图像简单观察数据的方法。设计了晶体位错可视化系统，便于观察晶体中原子间形成的三维结构，便于研究晶体位错等重要材料性质，提高位错线的识别效率。位错理论是金属力学性能的理论基础，在材料科学研究中不可或缺。1934年，科学家泰勒·奥罗万和波兰尼几乎同时提出了位错假说，即晶体中存在一种线缺陷，成功地解释了以前无法解决的现象。位错线的形成和发展可以用Frank-Readsource增量原理[2]来解释:当应力超过临界应力时，位错线膨胀形成内外两部分，外位错逐渐膨胀，内位错线恢复原状。在外力作用下，不断产生新的位错环，从而获得大量滑移。当位错从材料内部移动到材料表面时，这意味着位错线扫过的整个区域沿着位错的Burgers矢量方向[3]滑动了单位距离。当材料“冷加工”时，由于位错的引发和增值机制的激活，其中的位错密度会增加。

推荐资讯